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J-GLOBAL ID：201302293678560202   整理番号：13A0953821

有機金属気相成長法によって成長したGaAsSb/GaAs/GaAsP歪補償型量子井戸構造の光学的キャラクタリゼーション

Optical characterization of a GaAsSb/GaAs/GaAsP strain-compensated quantum well structure grown by metal-organic vapor phase epitaxy

著者 (7件)： HUANG C.t. (Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and Technol., Taipei 106, Taiwan) ,  WU J.d. (Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and Technol., Taipei 106, Taiwan) ,  LIU C.f. (Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and Technol., Taipei 106, Taiwan) ,  HUANG Y.s. (Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and Technol., Taipei 106, Taiwan) ,  WAN C.t. (Inst. of Microelectronics, and Dep. of Electrical Engineering, National Cheng Kung Univ., Tainan701, Taiwan) ,  SU Y.k. (Inst. of Microelectronics, and Dep. of Electrical Engineering, National Cheng Kung Univ., Tainan701, Taiwan) ,  TIONG K.k. (Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean Univ., Keelung 202, Taiwan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 370  ページ： 182-185  発行年： 2013年05月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪んだGaAs_0.64Sb_0.36/GaAsと歪み補償型GaAs_0.64Sb_0.36/GaAs/GaAs_0.79P_0.21の三重の量子井戸(TQW)構造の光学特性を,光ルミネセンス(PL),フォトリフレクタンス(PR)および表面光起電力分光法(SPS)によって調査した。水平な有機金属気相成長法(MOVPE)システムによって試料をGaAs(100)基板上に成長させた。GaAs_0.64Sb_0.36/GaAsTQWに対して,励起パワー密度の増加につれて低温でのPL特性のピーク位置の大きい青方偏移と基本遷移付近で観察された非常に弱いPR特性だけが,GaAs_0.64Sb_0.36とGaAsの間で形成された弱々しいII形ヘテロ接合の結果と考えられた。他方で,GaAs_0.64Sb_0.36/GaAs/GaAs_0.79P_0.21TQWのPRとSPSスペクトルは一連のサブバンド間で発生した遷移特性を示した。その特性はI形QW構造の典型的特徴を示す。結果は,QW構造のエネルギー帯が挿入された張力のGaAsP層によってかなり影響を及ぼされるのを明らかにした,エネルギー帯は弱いII形からI形構造に変化する。歪み補償型GaAs_0.64Sb_0.36/GaAs/GaAs_0.79P_0.21TQWは,より大きい重なり積分と,したがって,より高い遷移確率を持ち,高性能な近赤外半導体レーザを作製できる可能性を提供する。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOCVD ,  *量子井戸 ,  *補償 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ガリウム化合物 ,  リン化物 ,  ヒ化物 ,  アンチモン化物 ,  *光ルミネセンス ,  フォトリフレクタンス ,  スペクトロスコピー ,  基板 ,  ヘテロ接合 ,  青方偏移 ,  赤外レーザ ,  半導体レーザ
準シソーラス用語： *歪補償 ,  アンチモン化ひ化ガリウム ,  りん化ひ化ガリウム ,  表面光起電力分光法 ,  近赤外レーザ

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (9件)： 有機金属気相成長法 ,  成長 ,  GaAsSb ,  GaAs ,  GaAsP ,  歪補償 ,  量子井戸 ,  光学 ,  キャラクタリゼーション