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J-GLOBAL ID：201302293810198500   整理番号：13A1033332

Ni/n-GaSbショットキーダイオードの電気的特性

The electrical characteristics of Ni/n-GaSb Schottky diode

著者 (4件)： HUANG Wen-chang (Dep. of Electro-Optical Engineering, Kun Shan Univ., No.949, Da Wan Road, Yung-Kang District, Tainan City, 71003 ...) ,  LIN Tien-chai (Dep. of Electrical Engineering, Kun Shan Univ., No.949, Da Wan Road, Yung-Kang District, Tainan City, 71003, Taiwan ...) ,  HORNG Chia-tsung (Dep. of Electro-Optical Engineering, Kun Shan Univ., No.949, Da Wan Road, Yung-Kang District, Tainan City, 71003 ...) ,  LI Yu-huang (Dep. of Electro-Optical Engineering, Kun Shan Univ., No.949, Da Wan Road, Yung-Kang District, Tainan City, 71003 ...)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 16  号： 2  ページ： 418-423  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ni/n-GaSbショットキーダイオードの接合特性について,バイアス温度依存電流電圧(I-V-T)測定に基いて論じた。熱電子放出(TE)理論を想定した障壁高と理想係数は,強い温度依存を示した。測定した温度が173から373Kまで増加するにつれて,ショットキー障壁は0.28から0.48eVまで増加し,一方,理想係数は1.82から1.15まで減少した。直列抵抗も,キャリヤ濃度の減少により,測定した温度が減少するにつれて増加した。障壁高のガウス分布の証拠を得るためと障壁高不均一性のために,障壁高をq/2kTに対してプロットした。このプロットから,堆積したままのNi/n-GaSbダイオードに対してゼロバイアスでの平均障壁高と標準偏差は,それぞれ,0.66eVと0.107Vであった。さらに,修正したリチャードソンプロット,ln(J_s/T²)-(q²σ²_so/2k²T²)対1000Tから,活性化エネルギーおよびリチャードソン定数はそれぞれ,0.66eVと6.21A-K^-2cm^-2であった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ニッケル ,  N型半導体 ,  *アンチモン化ガリウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  Schottky障壁 ,  正規分布 ,  バイアス ,  *温度依存性 ,  *電流電圧特性 ,  熱電子放出 ,  電気抵抗 ,  キャリア密度 ,  標準偏差 ,  Richardson数 ,  活性化エネルギー ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  直列抵抗

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ni ,  ショットキーダイオード ,  電気的特性