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J-GLOBAL ID：201302293844733897   整理番号：13A0633048

AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造のAlN界面の原子プローブ解析

Atom probe analysis of AlN interlayers in AlGaN/AlN/GaN heterostructures

著者 (6件)： MAZUMDER Baishakhi (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  KAUN Stephen W. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  LU Jing (Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  KELLER Stacia (Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  SPECK James S. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 102  号： 11  ページ： 111603-111603-5  発行年： 2013年03月18日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  界面 ,  プローブ ,  *素子構造 ,  MBE成長 ,  *半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *深さプロフィル
準シソーラス用語： 原子プローブ ,  *ヘテロ構造

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  界面 ,  原子プローブ ,  解析