文献

J-GLOBAL ID：201302294100198892   整理番号：13A0495266

GaNアバランシェフォトダイオードのアバランシェ発生時点での暗電流と活性化エネルギーの温度依存性

Temperature dependence of the dark current and activation energy at avalanche onset of GaN Avalanche Photodiodes

著者 (5件)： ULMER M. P. (Northwestern Univ., IL, USA) ,  CICEK E. (Northwestern Univ., IL, USA) ,  MCCLINTOCK R. (Northwestern Univ., IL, USA) ,  VASHAEI Z. (Northwestern Univ., IL, USA) ,  RAZEGHI M. (Northwestern Univ., IL, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8460  ページ： 84601G.1-84601G.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNアバランシェフォトダイオード(APD)の天文学における用途およびその期待性能を述べ,問題となる暗電流性能の74Kから564Kにおける測定結果を述べた。この温度範囲で,アバランシェ発生時点での暗電流はファクタ125の違いがあった。74Kと300Kとでは,約ファクタ10の違いがあった。活性化エネルギーが温度により変わらなければ,上記の暗電流の温度低下に伴う減少はより大であると考えられるので,暗電流に影響する活性化エネルギーは貫通転位による金属性伝導で規定される温度依存性を示すと考えられる。ピラー状にGaNを成長させることで転位欠陥を低減させ,どの程度量子効率を向上でき,アバランシェ発生時点での暗電流を減少できるかを推定した。

シソーラス用語： 装置 ,  天文学 ,  *アバランシェフォトダイオード ,  *窒化ガリウム ,  *暗電流 ,  *温度依存性 ,  貫通転位 ,  柱 ,  結晶成長 ,  *光検出器 ,  効率 ,  活性化エネルギー ,  降伏 ,  低温 ,  光子 ,  光子計数 ,  量子効率
準シソーラス用語： アバランシェ現象 ,  ピラー ,  光子検出効率 ,  紫外線天文学 ,  単一光子 ,  天文学器械

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  アバランシェフォトダイオード ,  暗電流 ,  活性化エネルギー ,  温度依存性