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J-GLOBAL ID：201302294269978587   整理番号：13A1328373

GaAs表面上のイオン照射によって誘起されたGaナノ粒子の運動の起源

Origins of ion irradiation-induced Ga nanoparticle motion on GaAs surfaces

著者 (7件)： KANG M. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-2136, USA) ,  WU J. H. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-2136, USA) ,  SOFFERMAN D. L. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-2136, USA) ,  BESKIN I. (Dep. of Physics, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-1040, USA) ,  CHEN H. Y. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-2136, USA) ,  THORNTON K. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-2136, USA) ,  GOLDMAN R. S. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-2136, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 7  ページ： 072115-072115-3  発行年： 2013年08月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  イオン照射 ,  表面 ,  表面拡散 ,  *ガリウム ,  *ナノ粒子 ,  集束イオンビーム ,  *酔歩 ,  走査 ,  角度依存性 ,  スパッタリング ,  ゆらぎ
準シソーラス用語： ビーム走査 ,  熱ゆらぎ ,  表面移動

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  ゆらぎ,ランダム過程,Brown運動,輸送過程の一般的理論  (BA08020B)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  イオン照射 ,  誘起 ,  Ga ,  ナノ粒子 ,  運動 ,  起源