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J-GLOBAL ID：201302294535238209   整理番号：13A0953830

808nmで発光するハイパワーレーザダイオードのためのAl_0.85Ga_0.15AsのMOVPE成長

MOVPE growth of Al_0.85Ga_0.15As for high power laser diodes emitting at 808nm

著者 (3件)： BUGGE Frank (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, DEU) ,  NETZEL Carsten (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, DEU) ,  WEYERS Markus (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, DEU)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 370  ページ： 221-225  発行年： 2013年05月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標準のAl_0.7Ga_0.3Asクラッド層と同じ成長パラメータで成長させる場合,MOVPE成長の808nmレーザダイオードにおけるAl_0.85Ga_0.15Asクラッド層は劣ったデバイス性能をもたらす。その場反射率を活用して,下側のn-Al_0.85Ga_0.15Asクラッディングとn-Al_0.45Ga_0.55As導波路の間の界面はクラッドの3-D成長による劣化の起源であることを見出した。Al_0.85Ga_0.15Asの成長モードを,異なった条件のもとで研究した,そして,成長過程は,構造全体を通して2-D成長を維持するために最適化された。低い発散,高いスロープ効率および高い特性温度を有するこのようなレーザダイオードを実現化した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  *出力 ,  *MOCVD ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  パラメータ ,  *被覆層 ,  光導波路 ,  界面 ,  効率 ,  最適化 ,  反射率 ,  計測 ,  *劣化
準シソーラス用語： *高出力 ,  *クラッド層 ,  スロープ効率 ,  成長モード ,  その場計測

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (2件)： MOVPE ,  成長