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J-GLOBAL ID：201302295078174115   整理番号：13A0405017

Si上に成長させたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの電気測定

Electrical Measurements of an AlGaN/GaN High-electron-mobility Transistor Structure Grown on Si

著者 (11件)： ZHANG Zhi-Yao (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LO Shun-Tsung (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIN Li-Hung (National Chiayi Univ., Chiayi, TWN) ,  CHEN Kuang Yao (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  HUANG J. Z. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  SUN Zhi-Hao (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIANG C.-T. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN N. C. (Chang Gang Univ., Tao-Yuan, TWN) ,  CHANG Chin-An (Chang Gang Univ., Tao-Yuan, TWN) ,  CHANG P. H. (Chang Gang Univ., Tao-Yuan, TWN) ,  CHANG P. H. (National Taipei Univ. Technol., Taipei, TWN)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 61  号： 9  ページ： 1471-1475  発行年： 2012年11月15日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  半導体材料 ,  *半導体薄膜 ,  *HEMT ,  薄膜成長 ,  相互作用 ,  Hall効果 ,  *輸送現象
準シソーラス用語： *磁気輸送 ,  電子-電子相互作用

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  成長 ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  電気測定