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J-GLOBAL ID：201302295930411064   整理番号：13A0975853

パルスレーザ堆積したBaTiO₃/ZnOヘテロ構造の光及び抵抗スイッチング挙動に及ぼす半導体層厚みの影響

Semiconductor layer thickness impact on optical and resistive switching behavior of pulsed laser deposited BaTiO₃/ZnO heterostructures

著者 (5件)： SEKHAR K. C. (Centre of Physics, Univ. of Minho, Campus de Gualtar, 4710057 Braga, PRT) ,  SILVA J. P. B. (Centre of Physics, Univ. of Minho, Campus de Gualtar, 4710057 Braga, PRT) ,  KAMAKSHI Koppole (Centre of Physics, Univ. of Minho, Campus de Gualtar, 4710057 Braga, PRT) ,  PEREIRA M. (Centre of Physics, Univ. of Minho, Campus de Gualtar, 4710057 Braga, PRT) ,  GOMES M. J. M. (Centre of Physics, Univ. of Minho, Campus de Gualtar, 4710057 Braga, PRT)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 102  号： 21  ページ： 212903-212903-4  発行年： 2013年05月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 強誘電体 ,  *チタン酸バリウム ,  半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  *多層膜 ,  *スイッチング ,  分極 ,  膜厚 ,  光ルミネセンス ,  バンドオフセット
準シソーラス用語： *二層膜 ,  *抵抗スイッチング ,  界面分極

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (8件)： パルスレーザ堆積 ,  BaTiO3 ,  ZnO ,  ヘテロ構造 ,  抵抗スイッチング ,  挙動 ,  半導体層 ,  厚み