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J-GLOBAL ID：201302295945135080   整理番号：13A1146056

Si,サファイアおよびSiC上に成長させたAlGaN/GaN HEMTの順方向特性に及ぼす薄いゲート絶縁膜(SiO₂,SiN,Al₂O₃およびHfO₂)の影響のモデル化

Modeling the effect of thin gate insulators (SiO₂, SiN, Al₂O₃ and HfO₂) on AlGaN/GaN HEMT forward characteristics grown on Si, sapphire and SiC

著者 (4件)： PEREZ-TOMAS A. (IMB-CNM-CSIC, Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, ESP) ,  FONTSERE A. (IMB-CNM-CSIC, Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, ESP) ,  JENNINGS M.r. (School of Engineering, Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, England, GBR) ,  GAMMON P.m. (School of Engineering, Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, England, GBR)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 16  号： 5  ページ： 1336-1345  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Schottky金属ゲートを用いたGaN系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)が高周波・高温・高電力応用に有力な候補であることを実証した。それにもかかわらず,その典型的(現実に不可避)な高いゲート漏れ電流がゲート電圧スイング,出力電力および破壊電圧を厳しく制限している。GaN金属-絶縁膜-半導体HEMTまたはMIS-HEMT(ゲート金属と半導体との間に誘電体薄膜を導入することで形成する)は,ゲート漏れを低減し,デバイス性能を改善する効果的なソリューションの一つである。本研究では,このゲート絶縁膜の導入がHEMTのオン状態に及ぼす影響を評価する。この理由のため,MIS-HEMTに対してオン抵抗,ドレイン/飽和電流および相互コンダクタンスを評価する一式のコンパクトで閉じた形の表示式を導出する。この物理系モデルにより光フォノン散乱を用いて2D電子ガスチャネル内の移動度を記述し,SiO₂,SiN_x,Al₂O₃およびHfO₂に基づく絶縁膜で本モデルを調べている。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  窒化物 ,  *HEMT ,  基板 ,  ケイ素 ,  サファイア ,  炭化ケイ素 ,  Schottky障壁 ,  MIS構造 ,  ゲート【半導体】 ,  誘電体 ,  加熱 ,  *絶縁膜 ,  *電流電圧特性 ,  トランジスタモデル
準シソーラス用語： 自己加熱 ,  窒化インジウムアルミニウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (15件)： Si ,  サファイア ,  SiC ,  成長 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  順 ,  方向特性 ,  ゲート絶縁膜 ,  SiO2 ,  SiN ,  Al2O3 ,  HfO2 ,  モデル化