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J-GLOBAL ID：201302296053450270   整理番号：13A0495112

芳香族ニトロ化合物の検出のためのマイクロスケール素子の作製

Fabrication of a Microscale Device for Detection of Nitroaromatic Compounds

著者 (8件)： PETRUCZOK Christy D. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  CHOI Hyungryul J. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  YANG Se Young (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  YANG Se Young (Invensas Corp., CA, USA) ,  ASATEKIN Ayse (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  ASATEKIN Ayse (Clean Membranes, Inc., MA, USA) ,  GLEASON Karen K. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  BARBASTATHIS George (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名： Journal of Microelectromechanical Systems  (Journal of Microelectromechanical Systems)
巻： 22  号： 1  ページ： 54-61  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： W0357A  ISSN： 1057-7157  CODEN： JMIYET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： iCVDポリ(4-ビニルピリジン)(P4VP)を組み込んだ,芳香族ニトロ化合物に曝すと大きな選択的,及び急速な抵抗変化を示す,マイクロスケール抵抗センサを作製した。このセンサは,極めて小さい活性面積をもち,容易に安価に大量生産できる。概念実証の感度は,確立された技術のそれと同程度であった。加えて,センサ設計は,交換可能で,P4VPの異なるiCVD高分子を単に置き換えるだけで,簡単に変えることができた。得られた作製スキームは,非常に汎用性があり,様々な検体に対するセンサの作製に有用である。

シソーラス用語： *センサ ,  *高分子膜 ,  *芳香族ニトロ化合物 ,  化学蒸着 ,  *フォトリソグラフィー ,  塑性変形 ,  検出限界 ,  P4VP ,  曝露 ,  電極 ,  パターン形成 ,  電子ビームリソグラフィー ,  フォトレジスト ,  環境影響 ,  変化 ,  電気抵抗 ,  膨張
準シソーラス用語： マイクロセンサ ,  永久変形 ,  薄膜センサ ,  抵抗センサ ,  抵抗変化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： 2,4,6-トリニトロトルエン

タイトルに関連する用語 (3件)： 芳香族ニトロ化合物 ,  マイクロスケール ,  作製