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J-GLOBAL ID：201302297214109210   整理番号：13A0097544

照射した素子の電荷収集に対する高レベルのキャリア発生条件の重要性

The Significance of High-Level Carrier Generation Conditions for Charge Collection in Irradiated Devices

著者 (8件)： HOOTEN N. C. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  EDMONDS L. D. (ICS Electronics Co., CA, USA) ,  BENNETT W. G. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  AHLBIN J. R. (Univ. Southern California, VA, USA) ,  DODDS N. A. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  REED R. A. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  SCHRIMPF R. D. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  WELLER R. A. (Vanderbilt Univ., TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 59  号： 6,Pt.1  ページ： 2710-2721  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクシリコンダイオードでパルスレーザに誘起された電荷収集を測定して,高レベルのキャリア発生条件での電荷収集機構を調べた。電荷収集に対するカットオフがある両性拡散(ADC)モデルを使って,高レベルキャリア発生事象への応答中における素子全体のキャリア密度,電場,及び電位を表した。素子のシミュレーションを行って,高いキャリア密度の短い飛跡事象のとき,高キャリア密度領域の下に形成される強電場によって,接合近くにキャリアが閉込められることを示した。空乏領域境界から数ミクロン離れたところでピークキャリア発生が起こる場合でも,発生するキャリアが殆どすべて収集できることを示した実験データを説明した。ADCモデルで得られる電荷収集機構を解析的な電荷収集モデル(トンネルモデル)と比較した。

シソーラス用語： ケイ素 ,  *ダイオード ,  パルスレーザ ,  収集 ,  *キャリア生成 ,  キャリア密度 ,  空乏層 ,  電場効果 ,  電位
準シソーラス用語： *電荷収集 ,  *シングルイベント効果

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電荷収集 ,  高レベル ,  キャリア発生 ,  重要性