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J-GLOBAL ID：201302297219852212   整理番号：13A0048064

シードキャスティング技術によって大きなサイズのシリコン単結晶を成長させる新しい方法の転位分析

Dislocation Analysis of a New Method for Growing Large-Size Crystals of Monocrystalline Silicon Using a Seed Casting Technique

著者 (6件)： GAO Bing (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAKANO Satoshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  HARADA Hirofumi (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  MIYAMURA Yoshiji (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  SEKIGUCHI Takashi (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  KAKIMOTO Koichi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 12  号： 12  ページ： 6144-6150  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： るつぼの底や側面にそって生じる多結晶の核生成を回避できるシードキャスティング技術によって,大きなサイズのシリコン単結晶を形成する方法を研究した。結晶成長過程における熱移動,熱放射,融液対流などの熱応力と転位密度をシミュレートした結果,転位密度はほぼ10⁵cm^-2になることがわかった。初期状態において結晶成長する冷却液を少量におさえて転位の消滅や指向効果がAlexander-Haasenモデルによる推定値内にあるとすると,実質的な転位密度は推定値よりはるかに小さくなった。それ故,大きなサイズのシリコン単結晶が成長できるこの新しい方法は中位の転位密度をもつ多結晶の核生成を回避するために有効であることがわかった。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *液相成長 ,  *結晶粒度 ,  *熱伝達 ,  熱放射 ,  対流 ,  熱応力 ,  *転位密度 ,  計算機シミュレーション ,  冷却剤 ,  流量 ,  多結晶 ,  核形成 ,  *単結晶
準シソーラス用語： *種結晶鋳造法

分類 (4件)： 固-液界面  (CB12050B) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  晶析  (XD02070T) ,  装置内の伝熱  (XD01030U)

タイトルに関連する用語 (6件)： キャスティング ,  サイズ ,  シリコン単結晶 ,  成長 ,  転位 ,  分析