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J-GLOBAL ID：201302297376385849   整理番号：13A0853877

極性ZnO基板上におけるペンタセン薄膜の成長モード

著者 (9件)： 中村立 (大阪府大 大学院) ,  長田貴弘 (物質・材料研究機構) ,  早川竜馬 (物質・材料研究機構) ,  OH S. J. (九大 大学院) ,  廣芝伸哉 (物質・材料研究機構) ,  藤村紀文 (大阪府大 大学院) ,  知京豊裕 (物質・材料研究機構) ,  若山裕 (物質・材料研究機構) ,  若山裕 (九大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.28P-G19-8  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 酸化亜鉛 ,  *表面準位 ,  電子状態 ,  有機半導体 ,  *半導体薄膜 ,  電子顕微鏡観察 ,  薄膜成長 ,  ポリアセン

分類 (1件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： 極性 ,  ZnO ,  ペンタセン ,  薄膜 ,  成長モード