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J-GLOBAL ID：201302297818971378   整理番号：13A0355653

電子顕微鏡によるグラフェン成長のその場観察

In situ electron microscopy observations of graphene growth.

著者 (3件)： 日比野浩樹 (NTT 物性科学基礎研) ,  小田原玄樹 (産業技術総合研) ,  本間芳和 (東京理大 理)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 82  号： 2  ページ： 137-140  発行年： 2013年02月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： グラフェンのデバイス応用には単結晶グラフェンが不可欠であり,その成長技術の確立に向け,グラフェン成長機構の理解が求められている。我々はこの目的に向かって,金属やSiC基板上でのグラフェン成長を電子顕微鏡により,その場観察してきた。本稿では,多結晶Ni箔上のグラフェンの偏析/析出を中心に,その場観察から明らかになったグラフェン成長過程を説明する。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭素材 ,  *電子顕微鏡 ,  単結晶 ,  *その場観察 ,  偏析 ,  析出 ,  基板 ,  走査電子顕微鏡 ,  熱電子放出 ,  *グラフェン ,  金属基板 ,  低速電子顕微鏡
準シソーラス用語： 走査型電子顕微鏡 ,  低エネルギー電子顕微鏡

分類 (4件)： 結晶成長技術・装置  (BK13020B) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

引用文献 (17件)：

• BAUER, E. Rep. Prog. Phys. 1994, 57, 895
• HIBINO, H. Phys. Rev. B. 2008, 77, 075413
• AGO, H. J. Phys. Chem. Lett. 2012, 3, 2228
• ODAHARA, G. Appl. Phys. Exp. 2012, 5, 035501
• OOSTINGA, J. B. Nature Mater. 2008, 7, 151

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子顕微鏡 ,  グラフェン ,  成長 ,  その場観察