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J-GLOBAL ID：201302298793808511   整理番号：13A0650392

埋込みメモリにおける隣接MBU耐性の新しいSEC-DED誤り訂正符号サブクラス

A New SEC-DED Error Correction Code Subclass for Adjacent MBU Tolerance in Embedded Memory

著者 (2件)： NEALE Adam (Univ. Waterloo, ON, CAN) ,  SACHDEV Manoj (Univ. Waterloo, ON, CAN)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 13  号： 1  ページ： 223-230  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重隣接誤り訂正(DAEC)とスケーラブル隣接誤り検出(xAED)の両方と同様な,単一誤り訂正二重誤り検出(SEC-DED)に適用しながら,隣接/非隣接二重ビット誤りの訂正ミス確率を軽減する,新しい誤り訂正符号(ECC)スキームについて述べた。この方法は従前のSEC-DED符号とBCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)の二重誤り訂正(DEC)符号との間でチェックビット設計空間を探索するこのにより実行される。xAED度と訂正ミス確率はチェックビット数の関数で与えられる。この提案した符号に従来からのSEC-DED符号と同じ数のチェックビットを用いれば,DAECと三重隣接誤り検出(TAED)がいずれも可能となる。この方法はインタリーブ直交独立な,隣接多重ビットアップセット(MBU)の緩和に一つの手段となる。この符号をインタリービングと併用すれば,誤り回復達成率がECCによる回復とインタリービングによるものとの積で与えられる。

シソーラス用語： *誤り訂正符号 ,  *集積回路メモリ ,  符号誤り ,  誤り率 ,  ソフトエラー ,  *SEU【シングルイベント】 ,  記憶素子 ,  耐性 ,  誤り訂正能力 ,  電気信号
準シソーラス用語： MBU ,  誤り耐性 ,  埋込みメモリ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 埋込みメモリ ,  MBU ,  耐性 ,  誤り訂正符号 ,  サブ ,  クラス