特許

J-GLOBAL ID：201303000243826622

テクスチャ形成面を有するシリコン基板およびその製造方法

発明者： 新井 康司 ,  山口 直志 ,  谷口 泰士 ,  田辺 浩 ,  中山 一郎
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 内藤 浩樹 ,  永野 大介 ,  藤井 兼太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-088251
公開番号（公開出願番号）：特開2013-219164
出願日： 2012年04月09日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：

【課題】基板面方位(111)のシリコン基板の表面に、ドライエッチング法によってテクスチャを形成することで、新しいテクスチャ形成面を有するシリコン基板を提供すること。【解決手段】本発明は、テクスチャを形成されたテクスチャ形成面を有する基板面方位(111)のシリコン基板であって、前記テクスチャ形成面には、複数の六角錘状の凹部が形成され、かつ前記凹部の深さは100nm〜10μmの範囲にあるシリコン基板を提供する。本発明のシリコン基板の製造方法は、基板面方位(111)のシリコン基板を用意するステップと、前記シリコン基板表面にエッチングガスを吹き付けるステップとフッ硝酸水で洗浄するステップを有し、前記エッチングガスには、ClF3,XeF2,BrF3,BrF5およびNF3からなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

テクスチャ形成面を有する基板面方位(111)のシリコン基板であって、 前記テクスチャ形成面には、六角錘状の凹部が複数形成され、かつ前記凹部の深さは、100nm〜10μmの範囲にあること、 を特徴とするテクスチャ形成面を有するシリコン基板。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/304

FI (4件)：

H01L31/04 H ,  H01L21/302 201A ,  H01L21/306 B ,  H01L21/304 647Z

Fターム (26件)：

5F004BA19 ,  5F004DA17 ,  5F004DA19 ,  5F004DA26 ,  5F004DA28 ,  5F004DB01 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043BB27 ,  5F043FF10 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB22 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F157AA09 ,  5F157AA28 ,  5F157AA63 ,  5F157AC01 ,  5F157BC53 ,  5F157BE12 ,  5F157BE32 ,  5F157BE42 ,  5F157BE45 ,  5F157BE46 ,  5F157DB03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン基板の異方性エッチング方法及び太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-139440   出願人：松下電器産業株式会社
• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-332828   出願人：日本電信電話株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Optimization of front surface texturing processes for high-efficiency silicon solar cells"