特許
J-GLOBAL ID:201303001212495004

フタロシアニンナノサイズ構造物、及び該ナノサイズ構造物を用いた電子素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河野 通洋
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-087388
公開番号(公開出願番号):特開2013-216603
出願日: 2012年04月06日
公開日(公表日): 2013年10月24日
要約:
【課題】低コストなウエットプロセスにより、電子素子を製造することが可能な有機半導体材料の提供を図るものである。さらには、壊れにくく軽量、安価、及び高特性たる有機半導体電子素子を提供すること。【解決手段】、フタロシアニンナノサイズ構造体を構成する、フタロシアニン誘導体を最適化することで、性能の向上したウエットプロセスに好適な有機半導体材料を提供できることを見出し、本発明を完成するに至った。さらに、該有機半導体材料を電子素子活性部(半導体層)に用いることにより、耐久性に富み、且つ、壊れにくく軽量、安価、及び高特性たる電子素子を提供できる。【選択図】図5
請求項(抜粋):
無置換フタロシアニン及び置換基を有するフタロシアニンを含有するナノサイズ構造物であって、 構造物の形状が、長径と短径を有し、その短径が500nm以下であり、 無置換フタロシアニンが、一般式(1)又は(2)で表されるものであり、
IPC (8件):
C07D 487/22 ,  C09B 47/20 ,  C09D 11/00 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  B82Y 30/00 ,  H01L 51/42
FI (8件):
C07D487/22 ,  C09B47/20 ,  C09D11/00 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250F ,  H01L29/78 618B ,  B82Y30/00 ,  H01L31/04 D
Fターム (41件):
4C050PA12 ,  4C050PA13 ,  4J039BC01 ,  4J039BC13 ,  4J039BC60 ,  4J039BE12 ,  4J039EA24 ,  4J039EA48 ,  5F110AA16 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F151AA12
引用特許:
出願人引用 (4件)
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