特許
J-GLOBAL ID:201303001916309397
光デバイスウェーハの分割方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
青木 宏義
, 天田 昌行
, 岡田 喜雅
, 菅野 亨
, 溝口 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-032751
公開番号(公開出願番号):特開2013-171846
出願日: 2012年02月17日
公開日(公表日): 2013年09月02日
要約:
【課題】レーザ加工後のウェーハ表裏の応力バランスを矯正することで、光デバイスウェーハの反りを低減して、光デバイスウェーハの破損を防止すること。【解決手段】本発明の分割方法は、表面に形成された分割予定ライン(301)に沿って光デバイスウェーハ(W)を個々のチップに分割する方法であり、光デバイスウェーハ(W)の内部において表面(W1)側に分断起点改質層(304)を形成する分断起点改質層形成工程と、分断起点改質層(304)による内部応力とのバランスを調整するように、光デバイスウェーハ(W)の内部において裏面(W2)側に矯正改質層(306)を形成する矯正改質層形成工程と、光デバイスウェーハ(W)を裏面(W2)側から仕上げ厚さまで研削し、研削加工中の研削負荷によって分断起点改質層(304)を起点として光デバイスウェーハ(W)を分割する研削工程とを有する構成とした。【選択図】図6
請求項(抜粋):
表面に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域に光デバイスが形成された光デバイスウェーハを前記分割予定ラインに沿って分割する光デバイスウェーハの分割方法であって、
光デバイスウェーハの表面に粘着シートを貼着する貼着ステップと、
前記貼着ステップを実施した後、前記粘着シート側を保持手段で保持して光デバイスウェーハの裏面から光デバイスウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを前記分割予定ラインに沿って照射して、前記分割予定ラインに沿って内部に表面から所定厚さの分割起点となる分断起点改質層を形成する分断起点改質層形成ステップと、
前記分断起点改質層形成ステップを実施した後、光デバイスウェーハの裏面から光デバイスウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを照射して、ウェーハ裏面から前記分断起点改質層までの間の前記分断起点改質層が形成されていない領域に前記分断起点改質層による応力反りを矯正する応力を有する矯正改質層を形成する矯正改質層形成ステップと、
前記矯正改質層形成ステップを実施した後に、前記粘着シート側を保持手段で保持して光デバイスウェーハの裏面から研削手段により研削し仕上げ厚さへと薄化するとともに研削動作により前記分断起点改質層を起点として光デバイスウェーハを前記分割予定ラインに沿って分割する研削ステップと、を備えること
を特徴とする光デバイスウェーハの分割方法。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L21/78 Q
, H01L21/78 B
引用特許:
出願人引用 (2件)
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レーザ加工装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-101924
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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窒化物半導体素子の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-196423
出願人:ローム株式会社
審査官引用 (2件)
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レーザ加工装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-101924
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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窒化物半導体素子の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-196423
出願人:ローム株式会社
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