特許
J-GLOBAL ID：201303003362979363

半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び基板処理装置

発明者：
奥田 和幸

奥田 和幸 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-004978
公開番号（公開出願番号）：特開2013-145788
出願日： 2012年01月13日
公開日（公表日）： 2013年07月25日
要約：
【課題】 処理室内の堆積物を膜残りのないように除去する。【解決手段】基板及び断熱体を保持した基板保持具を処理室内に搬入する基板搬入工程と、処理室内に原料ガスを供給して基板に膜を形成する膜形成工程と、処理室内から処理後の基板を保持した基板保持具を搬出する基板搬出工程と、処理室内に基板がない状態で、処理室内の基板収容領域を第1の温度で加熱し、処理室内の断熱体収容領域を前記第1の温度より高い第2の温度で加熱しつつ、処理室内にクリーニングガスを供給する第1のクリーニング工程と、処理室内に基板がない状態で、断熱体収容領域を第3の温度で加熱し、基板収容領域を第3の温度より低い第4の温度で加熱しつつ、処理室内にクリーニングガスを供給する第2のクリーニング工程と、を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板及び断熱体を保持した基板保持具を処理室内に搬入する基板搬入工程と、 前記処理室内に原料ガスを供給して前記基板に膜を形成する膜形成工程と、 前記処理室内から処理後の前記基板を保持した前記基板保持具を搬出する基板搬出工程と、 前記処理室内に前記基板がない状態で、前記処理室内の基板収容領域を第1の温度で加熱し、前記処理室内の断熱体収容領域を前記第1の温度より高い第2の温度で加熱しつつ、前記処理室内にクリーニングガスを供給する第1のクリーニング工程と、 前記処理室内に前記基板がない状態で、前記断熱体収容領域を第3の温度で加熱し、前記基板収容領域を前記第3の温度より低い第4の温度で加熱しつつ、前記処理室内にクリーニングガスを供給する第2のクリーニング工程と、を有する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44
FI (2件)：
H01L21/31 C ,  C23C16/44 J
Fターム (39件)：
4K030DA06 ,  4K030EA01 ,  4K030GA02 ,  4K030JA10 ,  4K030KA23 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06 ,  5F045EE13 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06 ,  5F045EK22 ,  5F045EK24 ,  5F045EK27 ,  5F045EK30
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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