特許
J-GLOBAL ID:201303005068738890
電流センサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
矢作 和行
, 野々部 泰平
, 久保 貴則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-265131
公開番号(公開出願番号):特開2013-117447
出願日: 2011年12月02日
公開日(公表日): 2013年06月13日
要約:
【課題】電流の検出精度の低下が抑制された電流センサを提供する。【解決手段】センサ基板(10)と、該センサ基板(10)の一面(10a)に形成された、印加磁界を電気信号に変換する磁電変換素子(20)と、センサ基板(10)、及び、被測定電流が流れる被測定導体(90)の周囲を共に囲むことで、外部と内部とを磁気的に遮蔽する磁気シールド部(30)と、を有し、被測定電流にて生じた磁界による磁電変換素子(20)の電気信号の変動に基づいて、被測定電流を測定する電流センサであって、磁気シールド部(30)には空隙(33)が少なくとも1つ形成され、磁気シールド部(30)には、空隙(33)にて生じた空隙磁界、及び、磁気シールド部(30)の外部にて生じた外部磁界の少なくとも一方が、磁電変換素子(20)に印加されるのを抑制する抑制手段が形成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
センサ基板(10)と、
該センサ基板(10)の一面(10a)に形成された、印加磁界によって出力信号が変動する磁電変換素子(20)と、
前記センサ基板(10)、及び、被測定電流が流れる被測定導体(90)それぞれの周囲を囲むことで、外部と内部とを磁気的に遮蔽する磁気シールド部(30)と、を有し、
前記被測定電流にて生じた磁界による前記磁電変換素子(20)の出力信号の変動に基づいて、前記被測定電流を測定する電流センサであって、
前記磁気シールド部(30)には、前記磁気シールド部(30)内の磁気飽和を抑制するための空隙(33)が少なくとも1つ形成され、
前記磁気シールド部(30)には、前記空隙(33)にて生じた空隙磁界、及び、前記磁気シールド部(30)の外部にて生じた外部磁界の少なくとも一方が、前記磁電変換素子(20)に印加されるのを抑制する抑制手段が形成されていることを特徴とする電流センサ。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (4件):
2G025AA00
, 2G025AA11
, 2G025AB01
, 2G025AC01
引用特許:
審査官引用 (2件)
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通電情報計測装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-011461
出願人:パナソニック電工株式会社
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電流測定装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-007595
出願人:セントロンエージー
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