特許
J-GLOBAL ID：201303008154254179
LED素子搭載用基板及びその製造方法、並びにLED素子搭載用基板を用いた半導体装置
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
米田 潤三
, 太田 昌孝
, 皿田 秀夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-182107
公開番号（公開出願番号）：特開2013-145862
出願日： 2012年08月21日
公開日（公表日）： 2013年07月25日
要約：
【課題】製造初期における反射率が高く、かつ腐食性ガス等に対する耐性も高く、さらには反射層の下方に銅が存在する場合に当該銅のパイルアップによる反射率の低下を効果的に抑制し得るLED素子搭載用基板及びその製造方法、並びに当該LED素子搭載用基板を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】LED素子搭載用基板1は、基材2と、基材2におけるLED素子12を搭載するための搭載領域MA上に少なくとも設けられてなる、銀又は銀合金を含む反射層3と、搭載領域MA上の反射層3の一部が露出するように反射層3を被覆してなる、銀又は銀合金よりも耐食性の高い、銀又は銀合金以外の金属を含有する被覆層4とを備え、反射層3の厚さ方向所定の断面の全面積の70%以上が、断面積1μm2以上の銀又は銀合金の結晶粒子で占められている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
LED素子を搭載するために用いられる基板であって、
基材と、
前記基材における前記LED素子を搭載するための搭載領域上に少なくとも設けられてなる、銀又は銀合金を含む反射層と、
前記搭載領域上の反射層の一部が露出するように前記反射層を被覆してなる、前記銀又は銀合金よりも耐食性の高い、銀又は銀合金以外の金属を含有する被覆層と
を備え、
前記反射層の厚さ方向所定の断面の全面積の70%以上が、断面積1μm2以上の前記銀又は銀合金の結晶粒子で占められていることを特徴とするLED素子搭載用基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
5F142AA64
, 5F142AA73
, 5F142AA74
, 5F142AA77
, 5F142BA02
, 5F142BA24
, 5F142CA02
, 5F142CA03
, 5F142CB01
, 5F142CC01
, 5F142CC14
, 5F142CE03
, 5F142CE06
, 5F142CE08
, 5F142CE13
, 5F142CE16
, 5F142CG03
, 5F142FA01
, 5F142FA21
