ナノワイヤベースの透明導体およびそれをパターン形成するための方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-555116
公開番号（公開出願番号）：特表2013-522814
出願日： 2011年02月23日
公開日（公表日）： 2013年06月13日
要約：

ナノワイヤをベースとする透明導体をパターン化する方法を説明する。特に、本方法は、低可視または不可視パターンを生成する、部分的エッチングを対象とする。一実施形態は、基板と、複数の相互接続ナノ構造を含む、基板上の導電性膜であって、導電性膜上のパターンは、(1)第1の抵抗率と、第1の透過率と、第1の曇価と、を有する、エッチングされていない領域と、(2)第2の抵抗率と、第2の透過率と、第2の曇価と、を有する、エッチングされた領域と、を画定する、導電性膜と、を含み、エッチングされた領域は、エッチングされていない領域より低導電性であって、第1の抵抗率対第2の抵抗率の比率は、少なくとも1000であって、第1の透過率は、第2の透過率と5%未満だけ異なる、光学的に均一な透明導体を説明する。

請求項（抜粋）：

光学的に均一な透明導体であって、基板と、前記基板上の導電性膜であって、前記導電性膜は、複数の相互接続ナノ構造を含み、前記導電性膜上のパターンは、(1)第1の抵抗率と、第1の透過率と、第1の曇価とを有するエッチングされていない領域と、(2)第2の抵抗率と、第2の透過率と、第2の曇価とを有するエッチングされた領域とを画定する、導電性膜とを含み、前記エッチングされた領域は、前記エッチングされていない領域より低導電性であり、前記第1の抵抗率対前記第2の抵抗率の比率は、少なくとも1000であり、前記第1の透過率は、前記第2の透過率と5%未満だけ異なる、導体。

IPC (8件)：

H01B 5/14 , H01L 31/04 , H01M 14/00 , H01L 21/306 , H01L 21/308 , C23F 1/30 , H01B 13/00 , G02F 1/134

FI (9件)：

H01B5/14 B , H01L31/04 M , H01M14/00 P , H01L21/306 F , H01L21/308 F , C23F1/30 , H01B13/00 503D , G02F1/1343 , H01L31/04 H

Fターム (45件)：

2H092GA29 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA46 , 2H092JB13 , 2H092JB63 , 2H092JB79 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA07 , 2H092KA09 , 2H092KB12 , 2H092KB14 , 2H092MA04 , 2H092MA17 , 2H092NA14 , 2H092NA28 , 2H092PA08 , 2H092QA07 , 4K057WB01 , 4K057WB17 , 4K057WE02 , 4K057WE08 , 4K057WE25 , 4K057WG03 , 4K057WN01 , 5F043AA22 , 5F043BB15 , 5F043GG02 , 5F151AA09 , 5F151AA10 , 5F151CB21 , 5F151FA02 , 5G323CA01 , 5G323CA04 , 5G323CA05 , 5H032AA06 , 5H032BB05 , 5H032BB07 , 5H032CC09 , 5H032CC11 , 5H032EE07 , 5H032EE18 , 5H032HH07 , 5H032HH08

引用特許：

審査官引用 (1件)

導電性ナノファイバーシート及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-318499 出願人：日本写真印刷株式会社

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