特許
J-GLOBAL ID：201303008457661516
多状態の不揮発性メモリ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山本 秀策
, 森下 夏樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-153348
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243391
出願日： 2013年07月24日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：
【課題】多状態の不揮発性メモリ素子を提供する。【解決手段】多状態の不揮発性メモリ素子12は、複数の層を含む。各層は、異なる双安定の材料に基づき得る。双安定材料は、抵抗性スイッチングの金属酸化物などの抵抗性スイッチング材料であり得る。選択に応じて、導体層23と電流ステアリング素子とが、双安定抵抗性スイッチングの金属酸化物層と直列に接続され得る。各抵抗性スイッチング層22-1,22-2,22-3は、関連した高抵抗状態と、関連した低抵抗状態を有し得る。各抵抗性スイッチング層の状態は、適切な制御電圧を印加することによって制御され得る。抵抗性スイッチング層は、セット電圧を印加することによって、その高抵抗状態からその低抵抗状態へと移され得る。リセット電圧が抵抗性スイッチング層をその低抵抗状態に復元するために印加され得る。リセット電圧は、セット電圧と同じ極性を有し得るか、または逆の極性を有し得る。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
明細書に記載の発明。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA10
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083ZA21
