特許
J-GLOBAL ID:201303009005447297
硫化物固体電解質材料、電池および硫化物固体電解質材料の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (3件):
山下 昭彦
, 岸本 達人
, 山本 典輝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-234144
公開番号(公開出願番号):特開2013-177288
出願日: 2012年10月23日
公開日(公表日): 2013年09月09日
要約:
【課題】本発明は、イオン伝導性が良好であり、かつ、還元電位が低い硫化物固体電解質材料を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、M1元素(例えばLi元素)、M2元素(例えばGe元素、Si元素およびP元素)およびS元素を含有し、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、上記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満であり、M2は、少なくともPおよびSiを含むことを特徴とする硫化物固体電解質材料を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図14
請求項(抜粋):
M1元素、M2元素およびS元素を含有し、
前記M1は、少なくともLiを含み、
前記M2は、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であり、
CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、
前記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満であり、
前記M2は、少なくともPおよびSiを含むことを特徴とする硫化物固体電解質材料。
IPC (5件):
C01B 33/00
, H01M 10/056
, H01M 10/052
, H01B 1/06
, H01B 13/00
FI (5件):
C01B33/00
, H01M10/00 107
, H01M10/00 102
, H01B1/06 A
, H01B13/00 Z
Fターム (33件):
4G072AA50
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH33
, 4G072JJ34
, 4G072MM02
, 4G072MM36
, 4G072RR13
, 4G072TT30
, 4G072UU30
, 5G301CA05
, 5G301CA12
, 5G301CA18
, 5G301CA19
, 5G301CA22
, 5G301CA23
, 5G301CA25
, 5G301CA28
, 5G301CD01
, 5G301CE02
, 5H029AJ13
, 5H029AK01
, 5H029AK03
, 5H029AL06
, 5H029AL07
, 5H029AL11
, 5H029AM12
, 5H029CJ02
, 5H029CJ08
, 5H029DJ18
, 5H029HJ01
, 5H029HJ04
, 5H029HJ13
引用特許:
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