特許

J-GLOBAL ID：201303009058057091

強誘電体メモリ、多値データ記録方法、および多値データ読出し方法

発明者： 有本 由弘 ,  田村 哲朗 ,  鉾 宏真 ,  會澤 康治 ,  山口 正臣 ,  奈良 安雄 ,  石原 宏 ,  田渕 良志明 ,  高橋 憲弘 ,  長谷川 聡志
出願人/特許権者： 富士通セミコンダクター株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-252504
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108648
特許番号：特許第4785180号
出願日： 2005年08月31日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型のチャネル領域を含む半導体基体と、 前記半導体基体上に、前記半導体基体中のチャネル領域に対応して、強誘電体膜を介して形成された単一のゲート電極と、 前記半導体基体中、前記チャネル領域の両側にそれぞれ形成された、第2導電型の第1および第2の拡散領域と を含み、 前記強誘電体膜中には、前記第1の拡散領域の近傍に位置する第1の領域と、前記第2の拡散領域の近傍に位置する第2の領域と、前記第1および第2の領域の中間に位置する第3の領域が含まれ、 前記第1、第2および第3の領域には、独立に分極が誘起されていることを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (3件)：

H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  G11C 11/22 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 27/10 444 A ,  G11C 11/22 503

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 強誘電体トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-250196   出願人：株式会社日立製作所