特許
J-GLOBAL ID:201303009693300911

表面処理金属酸化物粒子の製造方法、該粒子を含む透明被膜形成用塗布液および透明被膜付基材

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人SSINPAT
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-128416
公開番号(公開出願番号):特開2013-224436
出願日: 2013年06月19日
公開日(公表日): 2013年10月31日
要約:
【課題】マトリックス成分に高分散可能であり、得られる膜は強度が高く、スクラッチ強度、耐水性、撥水性、指紋不付着性、耐薬品性、耐熱性、耐湿性等に優れた反射防止膜、ハードコート膜等に使用できる表面処理金属酸化物粒子の製造方法を提供する。【解決手段】金属酸化物粒子分散液に、式RnSiX4-n (R:フルオロ基含有炭化水素基、X:炭素数1〜4のアルコキシ基、水酸基、ハロゲンまたは水素、n:1〜3の整数)で表されるシランカップリング剤(A)と、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、などから選ばれる少なくとも1種のシランカップリング剤(B)とを、前記シランカップリング剤(A)のモル数(M1)と前記シランカップリング剤(B)のモル数(M2)との比(M1)/(M2)が0.3〜9の範囲となるように混合する混合工程と、前記混合工程により得られた分散液に、水とアンモニアを添加して40〜100°Cで加温する工程と、を含み、前記シランカップリング剤(A)と前記シランカップリング剤(B)の合計のモル数(MSC)と前記水のモル数(MH2O)の比(MH2O/MSC)が3〜30の範囲にあり、前記合計のモル数と前記アンモニアのモル数(MHC)の比(MHC/MSC)が0.01〜0.0001の範囲にあることを特徴とする表面処理金属酸化物粒子の製造方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
金属酸化物粒子分散液に、下記式(1)で表されるシランカップリング剤(A)と、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(βメトキシエトキシ)シラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシメチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシメチルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシエチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシエチルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-(β-グリシドキシエトキシ)プロピルトリメトキシシラン、γ-(メタ)アクリロオキシメチルトリメトキシシラン、γ-(メタ)アクリロオキシメチルトリエトキシシラン、γ-(メタ)アクリロオキシエチルトリメトキシシラン、γ-(メタ)アクリロオキシエチルトリエトキシシラン、γ-(メタ)アクリロオキシプロピルトリメトキシシラン、γ-(メタ)アクリロオキシプロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、3-ウレイドイソプロピルプロピルトリエトキシシラン、パーフルオロオクチルエチルトリメトキシシラン、パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシラン、N-β(アミノエチル)γ-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-β(アミノエチル)γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、トリメチルシラノール、メチルトリクロロシランからなる群から選ばれる少なくとも1種のシランカップリング剤(B)とを、前記シランカップリング剤(A)のモル数(M1)と前記シランカップリング剤(B)のモル数(M2)との比(M1)/(M2)が0.3〜9の範囲となるように混合する混合工程と、 前記混合工程により得られた分散液に、水とアンモニアを添加して40〜100°Cで加温する工程と、を含み、 前記シランカップリング剤(A)と前記シランカップリング剤(B)の合計のモル数(MSC)と前記水のモル数(MH2O)の比(MH2O/MSC)が3〜30の範囲にあり、前記合計のモル数と前記アンモニアのモル数(MHC)の比(MHC/MSC)が0.01〜0.0001の範囲にあることを特徴とする表面処理金属酸化物粒子の製造方法。 RnSiX4-n ・・・・・・(1) (但し、R:フルオロ基含有炭化水素基、X:炭素数1〜4のアルコキシ基、水酸基、ハロゲンまたは水素、n:1〜3の整数)
IPC (7件):
C09C 1/00 ,  C09C 3/12 ,  C09D 201/00 ,  C09D 7/12 ,  C09D 133/06 ,  B32B 9/00 ,  B32B 27/30
FI (7件):
C09C1/00 ,  C09C3/12 ,  C09D201/00 ,  C09D7/12 ,  C09D133/06 ,  B32B9/00 A ,  B32B27/30 A
Fターム (38件):
4F100AA17B ,  4F100AH06 ,  4F100AK25B ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100DE01B ,  4F100EH462 ,  4F100EJ67B ,  4F100JB01 ,  4F100JB06 ,  4F100JB07 ,  4F100JJ03 ,  4F100JK09 ,  4F100JK12 ,  4F100JL06 ,  4F100JN01B ,  4J037AA08 ,  4J037CA23 ,  4J037CB23 ,  4J037FF02 ,  4J037FF25 ,  4J038CB001 ,  4J038CG141 ,  4J038DG001 ,  4J038GA01 ,  4J038GA03 ,  4J038GA06 ,  4J038GA09 ,  4J038GA13 ,  4J038JC32 ,  4J038KA08 ,  4J038NA04 ,  4J038NA07 ,  4J038NA11 ,  4J038NA12
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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