複合基板およびその製造方法、ならびに複合ウエハ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-165654
公開番号（公開出願番号）：特開2013-030617
出願日： 2011年07月28日
公開日（公表日）： 2013年02月07日
要約：

【課題】III族窒化物とは化学組成の異なる異組成基板とIII族窒化物層とが貼り合わされた複合基板であっても、反りおよびクラックを発生させることなくその複合基板上にIII族窒化物エピタキシャル層を形成することができる複合基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】本複合基板2Dは、III族窒化物以外の化学組成を有する異組成基板10と、異組成基板10に貼り合わされたIII族窒化物層21と、含み、III族窒化物層21は、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数のIII族窒化物タイル21pに分離している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物以外の化学組成を有する異組成基板と、前記異組成基板に貼り合わされたIII族窒化物層と、含み、前記III族窒化物層は、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数のIII族窒化物タイルに分離している複合基板。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , C30B 25/18 , H01L 21/02

FI (3件)：

H01L21/20 , C30B25/18 , H01L21/02 B

Fターム (22件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077ED04 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK11 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LN03 , 5F152LN05 , 5F152LP01 , 5F152LP07 , 5F152LP09 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN13 , 5F152NP09 , 5F152NQ09

引用特許：

審査官引用 (1件)

GaN薄膜貼り合わせ基板およびその製造方法、ならびにGaN系半導体デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-182118 出願人：住友電気工業株式会社

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