特許
J-GLOBAL ID：200903000132408837

GaN薄膜貼り合わせ基板およびその製造方法、ならびにGaN系半導体デバイスおよびその製造方法

発明者：
笠井 仁

笠井 仁 について

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八郷 昭広

八郷 昭広 について

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三浦 祥紀

三浦 祥紀 について

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秋田 勝史

秋田 勝史 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-182118
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010766
出願日： 2006年06月30日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：
【課題】本発明は、半導体デバイスの製造コストを低減するために、GaNと化学組成の異なる異種基板にGaN薄膜が強固に貼り合わされているGaN薄膜貼り合わせ基板およびその製造方法、ならびに、GaN薄膜上に形成されている少なくとも1層のGaN系半導体層を含むGaN系半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本GaN薄膜貼り合わせ基板1の製造方法は、GaNバルク結晶10にGaNと化学組成の異なる異種基板20を貼り合わせる工程と、異種基板20との界面から0.1μm以上100μm以下の距離を有する面10tでGaNバルク結晶10を分割して異種基板20上にGaN薄膜10aを形成する工程とを含み、GaNバルク結晶の貼り合わせ面の最大表面粗さRmaxが20μm以下であることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
GaN薄膜貼り合わせ基板の製造方法であって、 GaNバルク結晶にGaNと化学組成の異なる異種基板を貼り合わせる工程と、前記異種基板との界面から0.1μm以上100μm以下の距離を有する面で前記GaNバルク結晶を分割して前記異種基板上にGaN薄膜を形成する工程とを含み、 前記GaNバルク結晶の貼り合わせ面の最大表面粗さRmaxが20μm以下であることを特徴とするGaN薄膜貼り合わせ基板の製造方法。
IPC (11件)：
H01L 21/02 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/80 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20
FI (11件)：
H01L21/02 B ,  H01L33/00 C ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 V ,  H01L21/265 Q ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658Z ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658G ,  H01L21/20
Fターム (40件)：
5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA71 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F102GB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GT01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21 ,  5F102HC24 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LP02 ,  5F152LP07 ,  5F152LP09 ,  5F152MM04 ,  5F152MM05 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152NN02 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN06 ,  5F152NN07 ,  5F152NN08 ,  5F152NN09 ,  5F152NN11 ,  5F152NN13 ,  5F152NN16 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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