特許
J-GLOBAL ID：201303012336676947
基材の処理方法、積層体および半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人SSINPAT
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-106681
公開番号（公開出願番号）：特開2013-235919
出願日： 2012年05月08日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：
【課題】仮固定材の中でも、基材のバンプ等が形成された部分と接する層の樹脂選択性に富んだ基材の処理方法を提供する。【解決手段】(1)支持体上に基材を、2層以上の層を有する中央部分(A)と溶剤耐性に優れる外周部分(B)とからなる仮固定材であって、前記外周部分(B)が前記支持体における基材側の面の外周部と、前記基材における支持体側の面の外周部とに接しており、且つ前記中央部分(A)が前記支持体における基材側の面の外周部より内側の中央部と、前記基材における支持体側の面の外周部より内側の中央部とに接している仮固定材を介して、仮固定することにより、中央部分(A)が支持体、外周部分(B)および基材で覆われた積層体を得る工程;(2)前記基材を加工等する工程;(3)外周部分(B)を溶剤で溶解させる工程;ならびに(4)前記仮固定材の残部を加熱することにより、支持体から基材を剥離する工程をこの順で有する基材の処理方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(1)支持体上に基材を、
2層以上の層を有する中央部分(A)と溶剤耐性に優れる外周部分(B)とからなる仮固定材であって、前記外周部分(B)が前記支持体における基材側の面の外周部と、前記基材における支持体側の面の外周部とに接しており、且つ前記中央部分(A)が前記支持体における基材側の面の外周部より内側の中央部と、前記基材における支持体側の面の外周部より内側の中央部とに接している仮固定材
を介して、仮固定することにより、
中央部分(A)が支持体、外周部分(B)および基材で覆われた積層体を得る工程;
(2)前記基材を加工し、および/または前記積層体を移動する工程;
(3)前記仮固定材の少なくとも外周部分(B)を溶剤で溶解させる工程;ならびに
(4)前記仮固定材の残部を加熱することにより、支持体から基材を剥離する工程
をこの順で有する基材の処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/304
, H01L 21/301
H01L21/02 C
, H01L21/304 622J
, H01L21/78 M
5F057BA11
, 5F057CA14
, 5F057DA11
, 5F057FA28
, 5F057FA30
