特許

J-GLOBAL ID：201003038159364503

スライディング手法を用いるウェーハの仮接合のための、高温およびスピンオン接合用組成物

発明者： ピララマッリ スニル ケイ. ,  リ チェンホン
出願人/特許権者： ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー.
代理人 (2件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-531520
公開番号（公開出願番号）：特表2010-506406
出願日： 2007年09月21日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：

新規の組成物および接合用組成物として該組成物を使用する方法を提供する。上記組成物は、溶媒系に分散または溶解されたポリマーを含有し、該組成物を用いて、アクティブウェーハを、支持ウェーハ(earner wafer)または基板に接合することができ、後続する処理およびハンドリングの間、上記アクティブウェーハおよびその活性部位を保護することに役立つ。上記組成物は、接合層を形成し、該接合層は、耐化学性および耐熱性を有するが、製造プロセスの適切な段階で、軟化して、それらのウェーハを離すようにスライドさせることを可能にする。

請求項（抜粋）：

溶媒系に溶解または分散されたポリマーを含有する接合用組成物で形成される接合層を介して接合された、第1の基板と第2の基板とを含むスタックを提供し、 前記スタックを、少なくとも約190°Cの温度に曝して前記接合層を軟化させ、 前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも一方に力を印加すると同時に、前記第1の基板および前記第2の基板の他方を、前記力に耐えられるようにすることを含み、前記力は、前記第1の基板と前記第2の基板とを分離するに足る十分な量で印加されるウェーハの接合方法。

IPC (5件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 ,  B81C 3/00 ,  B81B 7/02 ,  H01L 27/12

FI (5件)：

H01L21/02 B ,  H01L21/304 631 ,  B81C3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L27/12 B

Fターム (8件)：

3C081CA20 ,  3C081CA31 ,  3C081CA32 ,  3C081DA02 ,  3C081DA03 ,  3C081DA06 ,  3C081DA07 ,  3C081DA11

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体本体処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-215691   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• ウエハ剥し装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-048866   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭62-219954
  
• ウェハ搬送方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-061793   出願人：JSR株式会社

審査官引用 (5件)

• 半導体本体処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-215691   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• ウェハ搬送方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-061793   出願人：JSR株式会社
• ウエハ剥し装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-048866   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭62-219954
  
• 特開昭62-219954