表面改質されたシリケート発光体を有する発光装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-524040
公開番号（公開出願番号）：特表2013-541828
出願日： 2011年08月11日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：

本発明の典型的な各実施例は、発光ダイオードと、表面改質された発光体とを含む発光装置に関する。前記表面改質された発光体は、シリケート発光体、及び前記シリケート発光体上に配置されたフッ素化コーティングを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の発光ダイオード、及び前記第1の発光ダイオードから放出された光を吸収するように構成され、前記吸収された光と異なる波長を有する光を放出するように構成された表面改質された発光体を含み、前記表面改質された発光体は、シリケート発光体、及び前記シリケート発光体上に配置されたフッ素化コーティングを含む発光装置。

IPC (5件)：

H01L 33/50 , H01L 33/64 , H01L 33/62 , C09K 11/08 , C09K 11/59

FI (5件)：

H01L33/00 410 , H01L33/00 450 , H01L33/00 440 , C09K11/08 G , C09K11/59

Fターム (58件)：

4H001CA02 , 4H001CC02 , 4H001CC13 , 4H001XA05 , 4H001XA06 , 4H001XA07 , 4H001XA08 , 4H001XA12 , 4H001XA13 , 4H001XA14 , 4H001XA15 , 4H001XA20 , 4H001XA23 , 4H001XA30 , 4H001XA32 , 4H001XA38 , 4H001XA56 , 4H001XB11 , 4H001XB21 , 4H001YA25 , 4H001YA29 , 4H001YA63 , 4H001YA90 , 5F142AA25 , 5F142AA62 , 5F142AA72 , 5F142BA02 , 5F142BA14 , 5F142BA23 , 5F142BA32 , 5F142CA01 , 5F142CA03 , 5F142CA13 , 5F142CB13 , 5F142CC03 , 5F142CC04 , 5F142CC23 , 5F142CC26 , 5F142CD13 , 5F142CE02 , 5F142CE03 , 5F142CF02 , 5F142CF23 , 5F142CG03 , 5F142CG04 , 5F142CG05 , 5F142DA01 , 5F142DA02 , 5F142DA12 , 5F142DA44 , 5F142DA53 , 5F142DA56 , 5F142DA61 , 5F142DA72 , 5F142DA73 , 5F142FA28 , 5F142FA36 , 5F142HA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

蛍光体およびこれを用いた発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-303428 出願人：株式会社東芝
シリカ被膜発光体粒子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-265528 出願人：昭和電工株式会社
ナノ粒子-樹脂複合材料及びその製造方法、並びに、発光素子組立体、発光素子組立体用の充填材料、及び、光学材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-133481 出願人：ソニー株式会社

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