特許

J-GLOBAL ID：201303012486086137

半導体装置

発明者： 山下 侑佑 ,  町田 悟 ,  斎藤 順
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-153491
公開番号（公開出願番号）：特開2013-021142
出願日： 2011年07月12日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：

【課題】ダイオードを有する半導体装置のリカバリ特性を改善すること。【解決手段】 半導体装置1の半導体基板10は、アノード電極E1に接触しているp型のアノード領域8と、アノード電極E1に接触しているn型のn型領域9を有している。アノード領域8は、不純物濃度が高濃度な高濃度アノード部分領域7と低濃度な低濃度アノード部分領域6と中濃度な中濃度アノード部分領域5を含んでいる。高濃度アノード部分領域7と低濃度アノード部分領域6と中濃度アノード部分領域5は、アノード電極E1からカソード電極E2に向けて観測したときにその順で並んでいる。低濃度アノード部分領域6とn型領域9が接触している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板に接触しているアノード電極と、 前記アノード電極とは異なる部位で前記半導体基板に接触しているカソード電極と、を備えており、 前記半導体基板は、 前記アノード電極に接触している第1導電型のアノード領域と、 前記アノード電極に接触している第2導電型の第2導電型領域と、を有しており、 前記アノード領域は、不純物濃度が高濃度な高濃度アノード部分領域と低濃度な低濃度アノード部分領域と中濃度な中濃度アノード部分領域を含んでおり、 前記高濃度アノード部分領域と前記低濃度アノード部分領域と前記中濃度アノード部分領域は、前記アノード電極から前記カソード電極に向けて観測したときにその順で並んでおり、 前記低濃度アノード部分領域と前記第2導電型領域が接触している半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739

FI (6件)：

H01L29/91 D ,  H01L29/91 K ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655D ,  H01L29/78 652C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ダイオードとそのダイオードを備えている半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-115564   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 埋込み構造もしくは切込み構造を有する静電誘導ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-210751   出願人：玉蟲尚茂, 東洋電機製造株式会社