特許

J-GLOBAL ID：200903066921003397

ダイオードとそのダイオードを備えている半導体装置

発明者： 添野 明高
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-115564
公開番号（公開出願番号）：特開2009-267116
出願日： 2008年04月25日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

【課題】 ダイオードの局所的な過熱を抑制する技術を提供する。【解決方法】 半導体層8の浅部8Uに複数本の絶縁トレンチ電極TGが形成されており、浅部8Uが、少なくとも、隣接する1対の絶縁トレンチ電極TG間の区画領域4と隣接する他の1対の絶縁トレンチ電極TG間の区画領域5に分割されており、区画領域4に形成されている半導体構造と区画領域5に形成されている半導体構造が相違しており、各々の区画領域の裏面側に形成されている半導体層8の深部8Lの半導体構造が同じであり、裏面電極3と半導体層8の深部と区画領域4と表面電極2によって形成されている第1ダイオードの立ち上がり電圧と、裏面電極3と半導体層8の深部と区画領域5と表面電極2を含む第2ダイオードの立ち上がり電圧が相違している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体層と、前記半導体層の裏面に形成されている裏面電極と、前記半導体層の表面に形成されている表面電極を備えているダイオードであり、 前記半導体層の表面側の浅部に複数本の絶縁トレンチが形成されており、 前記半導体層の表面側の浅部が、少なくとも、隣接する1対の前記絶縁トレンチ間に位置している第1区画領域と、隣接する他の1対の前記絶縁トレンチ間に位置している第2区画領域に分割されており、 前記第1区画領域に形成されている半導体構造と前記第2区画領域に形成されている半導体構造が相違しており、 各々の区画領域の裏面側に形成されている前記半導体層の深部の半導体構造が同じであり、 前記裏面電極と前記半導体層の深部と前記第1区画領域と前記表面電極によって形成される第1ダイオードの立ち上がり電圧と、前記裏面電極と前記半導体層の深部と前記第2区画領域と前記表面電極によって形成される第2ダイオードの立ち上がり電圧が相違していることを特徴とするダイオード。

IPC (6件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (7件)：

H01L29/91 C ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/91 K ,  H01L29/91 L ,  H01L29/48 F

Fターム (5件)：

4M104CC03 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG06 ,  4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-322900   出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-351374   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-255729   出願人：株式会社東芝