特許
J-GLOBAL ID：201303013493489006

インターフェース部品及びその作製方法

発明者：
リチャード シムズ

リチャード シムズ について

, 
リチャード ウィリアム モーズリー

リチャード ウィリアム モーズリー について


出願人/特許権者：
マイクロサイク システムズ パブリック リミテッド カンパニー

マイクロサイク システムズ パブリック リミテッド カンパニー について


代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-117362
公開番号（公開出願番号）：特開2013-210384
出願日： 2013年06月03日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
要約：
【課題】大気圧のイオナイザの真空システムに対するインターフェースとするための平面状の部品を提供する。【解決手段】イオナイザから真空システムにイオンビームを伝達するように微細設計されたインターフェース部品であって、該インターフェース部品が、少なくとも1つのパターン化された表面を有する半導体材料から形成され、該半導体材料が、前記イオンビームを、該半導体材料中を通して前記真空システムに与えることができるチャネルを前記半導体材料中に設けるようにオリフィスを構成している。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
別々の大気圧イオン源と別々の真空システムとを結合するために、作動可能にポンプに連結され、かつ、前記イオン源によって発生されたイオンビームを前記真空システムに伝達するように微細設計されたインターフェース部品であって、 前記インターフェース部品は、第1の半導体層及び第2の半導体層からなる少なくとも2つの半導体層から構成され、前記第1の半導体層は第1のオリフィスを構成し、前記第2の半導体層は第2のオリフィスを構成し、前記2つの半導体層の各々が互いに関連して積層構造に配置されるとき、前記第1のオリフィス及び前記第2のオリフィスは、前もって前記インターフェース部品中に及び前記インターフェース部品を介して受ける前記イオンビームを、前記半導体材料中を通して前記真空システムに与えることができるチャネルを構成し、 前記インターフェース部品は、前記ポンプによる前記インターフェース部品中のポンプ輸送を通じて、前記別々の大気圧イオン源と前記別々の真空システムのそれぞれに中間の圧力に維持された作動可能なチャンバを構成していることを特徴とするインターフェース部品。
IPC (2件)：
G01N 27/62 ,  H01J 49/04
FI (3件)：
G01N27/62 X ,  G01N27/62 G ,  H01J49/04
Fターム (10件)：
2G041CA01 ,  2G041DA05 ,  2G041DA18 ,  2G041EA03 ,  2G041EA04 ,  2G041GA22 ,  2G041GA29 ,  2G041HA01 ,  5C038EE02 ,  5C038EF33
引用特許：
出願人引用 (4件)
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