特許

J-GLOBAL ID：201303014457029569

III族窒化物結晶およびIII族窒化物結晶基板

発明者： 松本 創 ,  藤戸 健史
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-070185
公開番号（公開出願番号）：特開2013-227208
出願日： 2013年03月28日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：

【課題】反りが小さくてクラックが抑えられている高品質なIII族窒化物結晶を提供する。【解決手段】結晶のα型基底面転位密度をρα、β型基底面転位密度をρβとしたとき、ρα-ρβ=Δρの絶対値が1×106個/cm2以下であることにより反りが小さくてクラックが抑えられたIII族窒化物結晶を得ることができる。ραの値が1×106個/cm2以下であり、ρβの値が1×106個/cm2以下であり、結晶の主面に垂直な方向の厚みが500μm以上である。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

結晶のα型基底面転位密度をρα、β型基底面転位密度をρβとしたとき、ρα-ρβ=Δρの絶対値が1×106個/cm2以下であることを特徴とするIII族窒化物結晶。

IPC (1件)：

C30B 29/38

FI (1件)：

C30B29/38 D

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-207783   出願人：住友電気工業株式会社