特許
J-GLOBAL ID：201303014539139990

ネガ型パターン形成方法

発明者：
小林 知洋

小林 知洋 について

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片山 和弘

片山 和弘 について

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畠山 潤

畠山 潤 について

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船津 顕之

船津 顕之 について

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橘 誠一郎

橘 誠一郎 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-251229
公開番号（公開出願番号）：特開2013-105165
出願日： 2011年11月17日
公開日（公表日）： 2013年05月30日
要約：
【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位(a1)とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を1つ以上含む繰り返し単位(a2)とを含有する高分子化合物[A]と、光酸発生剤[B]と、有機溶剤[C]とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで表面難溶層の形成を防ぎ、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を得ることが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位(a1)とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を1つ以上含む繰り返し単位(a2)とを含有する高分子化合物[A]と、光酸発生剤[B]と、有機溶剤[C]とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/32 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/10
FI (5件)：
G03F7/32 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/10
Fターム (101件)：
2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096EA05 ,  2H096EA07 ,  2H096GA04 ,  2H096JA08 ,  2H125AC02 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF30P ,  2H125AF34P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF43P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH11 ,  2H125AH12 ,  2H125AH14 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ12X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ18Y ,  2H125AJ54X ,  2H125AJ63X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ70X ,  2H125AJ92Y ,  2H125AM22P ,  2H125AM27P ,  2H125AM66P ,  2H125AM99P ,  2H125AN30P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN51P ,  2H125AN54P ,  2H125AN65P ,  2H125AN86P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  2H125FA23 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA03R ,  4J100BA10S ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15P ,  4J100BA20R ,  4J100BA20T ,  4J100BA31R ,  4J100BA38T ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC12R ,  4J100BC43T ,  4J100BC52P ,  4J100BC53R ,  4J100BC58P ,  4J100BC58Q ,  4J100BC69T ,  4J100BC79S ,  4J100BC84S ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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