特許

J-GLOBAL ID：201303015880055777

マグネトロンスパッタリング中の粒子発生に対するターゲット側壁の設計

発明者： ヴァン ゴッホ, ジム ,  トンプソン, ジム ,  シュヴァイツァー, マーク ,  タナカ, ヨイチロ ,  リュー, アラン ,  チャン, アンソニー, シーティー ,  ブラウン, カール ,  フォースター, ジョン, シー.
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (8件)： 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之 ,  上杉 浩 ,  平野 誠 ,  鈴木 康仁
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-512442
特許番号：特許第5027979号
出願日： 2001年07月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 物理気相堆積システム用の装置であって、 アンダーカットが側壁にあるターゲットを含み、 前記アンダーカットは、正味の侵食領域を画成する下側部分、正味の再堆積領域を画成する上側部分、及びそれらの間にある先端部を有するリップを画成し、前記正味の再堆積領域は、前記上側部分上又はその上方に設けられる装置。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C23C 14/34 B ,  H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 銅スパッタリングタ-ゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-359616   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド