特許
J-GLOBAL ID：201303017163893116
多結晶シリコン製造装置および多結晶シリコンの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
大野 聖二
, 森田 耕司
, 片山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-210679
公開番号（公開出願番号）：特開2013-071856
出願日： 2011年09月27日
公開日（公表日）： 2013年04月22日
要約：
【課題】シリコン芯線の初期通電時の通電傷の発生を防止し、反応初期段階におけるシリコン芯線の倒壊トラブルを防止すること。【解決手段】2対のシリコン芯線12の間にはバイパス回路17が設けられており、スイッチ16をB端子側に接続することにより、2対のシリコン芯線12を直列に電源15に接続可能である。スイッチ16をA端子側に切り替えることで、1対のシリコン芯線(左側)のみを電源15に接続することもできる。先ず、カーボンヒーター13からの輻射Rにより2対のシリコン芯線を200°C〜400°Cに加熱してする。その後、左側のシリコン芯線12のみに通電する状態(半通電状態)として初期印加電圧を加える。このような通電開始により左側のシリコン芯線は自己発熱してその温度が上昇し抵抗率は低下する。この通電開始の後に、左側のシリコン芯線と右側のシリコン芯線を直列に接続し(全通電状態)、2対のシリコン芯線に通電する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
通電加熱されたn対(nは2以上の整数)の鳥居型のシリコン芯線の表面に原料ガスを供給して多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置であって、
前記シリコン芯線への通電用電源と、
スイッチの切り替えにより前記n対のシリコン芯線のうちの第1番目から第m番目(mはn以下の整数)のシリコン芯線を直列接続状態として前記通電用電源からの電力を供給するバイパス回路とを備えている、多結晶シリコン製造装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072HH09
, 4G072JJ01
, 4G072LL01
, 4G072MM01
, 4G072NN01
, 4G072NN14
, 4G072RR04
, 4G072RR11
, 4G072RR21
, 4G072UU02
審査官引用 (2件)
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特公昭43-008359
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多結晶シリコン製造装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-242922
出願人：三菱マテリアル株式会社
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