特許
J-GLOBAL ID：200903097560085035
多結晶シリコン製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 村山 靖彦
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-242922
公開番号（公開出願番号）：特開2009-073683
出願日： 2007年09月19日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：
【課題】操業開始時に反応炉内のシリコン芯棒を速やかに温度上昇させて通電発熱状態とすることができる多結晶シリコン製造装置を提供する。【解決手段】反応炉1の内底部に立設された複数本のシリコン芯棒4の上端部が連結部材12によって一対ずつ連結されるとともに、これら対をなすシリコン芯棒4が反応炉1の内底部の複数組の電極5間に直列状態に複数本ずつ接続され、これら電極5からシリコン芯棒4に通電することにより該シリコン芯棒4を発熱させて、その表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置において、反応炉1の内部に輻射熱を放出する加熱装置21が設けられ、シリコン芯棒4は、加熱装置21に近い位置の電極5間のシリコン芯棒4を経由する電気抵抗値がこれより遠い位置の電極5間のシリコン芯棒4を経由する電気抵抗値よりも小さく設定されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応炉の内底部に立設された複数本のシリコン芯棒の上端部が連結部材によって一対ずつ連結されるとともに、これら対をなすシリコン芯棒が反応炉の内底部の複数組の電極間に直列状態に複数本ずつ接続され、これら電極からシリコン芯棒に通電することにより該シリコン芯棒を発熱させて、その表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置において、
前記反応炉の内部に輻射熱を放出する加熱装置が設けられ、
前記シリコン芯棒は、前記加熱装置に近い位置の電極間のシリコン芯棒を経由する電気抵抗値がこれより遠い位置の電極間のシリコン芯棒を経由する電気抵抗値よりも小さく設定されていることを特徴とする多結晶シリコン製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
4G072AA01
, 4G072BB12
, 4G072GG04
, 4G072HH07
, 4G072JJ01
, 4G072MM01
, 4G072RR11
, 4G072RR28
