特許
J-GLOBAL ID：201303017831982819
パワーモジュール及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-189574
公開番号（公開出願番号）：特開2013-051366
出願日： 2011年08月31日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
要約：
【課題】 パワーモジュールにおけるリードと基板配線パターンを超音波接合する構造において、大面積の接合面を絶縁基板の損傷を防止しつつ良好な接合を可能にし、良好な放熱性を兼ね備えさせる。【解決手段】 表面に複数の配線パターンが形成された基板と、この基板に搭載されて複数の配線パターンのうちの一部の配線パターンに電気的に接続された半導体素子と、複数の配線パターンのうちの他の配線パターンと電気的に接続されたリードを有する端子部を備えたパワーモジュールを、端子部のリードは他の配線パターンの材料と同等もしくは柔らかい材料を含む複数の金属部材を積層して構成されており、複数の金属部材のうち他の配線パターンの材料と同等もしくは柔らかい材料が他の配線パターンと超音波接合により電気的に接続されるように構成した。【選択図】図3B
請求項（抜粋）：
表面に複数の配線パターンが形成された基板と、該基板に搭載されて前記複数の配線パターンのうちの一部の配線パターンに電気的に接続された半導体素子と、前記複数の配線パターンのうちの他の配線パターンと電気的に接続されたリードを有する端子部を備えたパワーモジュールであって、前記端子部のリードは前記他の配線パターンの材料と同等もしくは柔らかい材料を含む複数の金属部材を積層して構成されており、該複数の金属部材のうち前記他の配線パターンの材料と同等もしくは柔らかい材料が前記他の配線パターンと超音波接合により電気的に接続されていることを特徴とするパワーモジュール。
IPC (6件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/607
, B23K 20/10
, B23K 20/00
, H01L 21/60
H01L25/04 C
, H01L21/607 A
, B23K20/10
, B23K20/00 H
, H01L21/60 321E
4E167AA06
, 4E167AA08
, 4E167BE00
, 4E167BE04
, 4E167BE09
, 4E167BE10
