特許
J-GLOBAL ID：201303018033489212
ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 増井 裕士
, 細川 文広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-007864
公開番号（公開出願番号）：特開2013-065918
出願日： 2013年01月18日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
要約：
【課題】反りの発生を抑制することができるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板を提供する。【解決手段】絶縁基板12の一方の面に回路層13が形成されるとともに他方の面に金属層14が形成されたパワーモジュール用基板11と、金属層14側に接合されてパワーモジュール用基板11を冷却するヒートシンク17とを備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板10であって、金属層14とヒートシンク17とが直接接合されており、回路層13の厚さAと金属層14の厚さBとの比率B/Aが、2.167≦B/A≦20の範囲内に設定されていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板の一方の面に回路層が形成されるとともに他方の面に金属層が形成されたパワーモジュール用基板と、前記金属層側に接合されて前記パワーモジュール用基板を冷却するヒートシンクとを備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、
前記金属層と前記ヒートシンクとが直接接合されており、
前記回路層の厚さAと前記金属層の厚さBとの比率B/Aが、2.167≦B/A≦20の範囲内に設定されていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/36 C
, H01L23/12 J
5F136BA04
, 5F136BB04
, 5F136BB18
, 5F136DA27
, 5F136EA13
, 5F136FA02
, 5F136FA14
, 5F136FA16
, 5F136FA18
, 5F136GA02
