特許
J-GLOBAL ID：201303018059061466
半導体装置
出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社
ルネサスエレクトロニクス株式会社 について
代理人 (2件)： 速水 進治 , 天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-084865
公開番号（公開出願番号）：特開2013-141027
出願日： 2013年04月15日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
要約：
【課題】基板の反りを抑制してその平坦性を高め、且つ、第1及び第2のアンダーフィル樹脂の熱膨張係数差に起因してチップと基板との接合部に加わる応力を抑制する。【解決手段】基板1と、複数のバンプ3を介して基板1の一方の面に接続され、該一方の面に素子形成面が対向している半導体チップ2と、半導体チップ2の素子形成面と基板1の一方の面との間に充填されたアンダーフィル樹脂6を有する。アンダーフィル樹脂6は、複数のバンプ3のうち最外周に配置されている複数のバンプ3aの配置領域及びその内側に形成された第1のアンダーフィル樹脂4と、第1のアンダーフィル樹脂4の外側に形成された第2のアンダーフィル樹脂5とを含む。基板1の熱膨張係数が第1のアンダーフィル樹脂4の熱膨張係数よりも大きい。第2のアンダーフィル樹脂5の熱膨張係数が第1のアンダーフィル樹脂4の熱膨張係数よりも大きい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体装置であって、
基板と、
複数のバンプを介して前記基板の一方の面に接続され、該一方の面に素子形成面が対向している半導体チップと、
前記半導体チップの前記素子形成面と前記基板の前記一方の面との間に充填されたアンダーフィル樹脂と、
を有し、
前記アンダーフィル樹脂は、
前記複数のバンプのうち最外周に配置されている複数のバンプの配置領域及びその内側に形成された第1のアンダーフィル樹脂と、
前記第1のアンダーフィル樹脂の外側に形成された第2のアンダーフィル樹脂と、
を含み、
前記基板の熱膨張係数が前記第1のアンダーフィル樹脂の熱膨張係数よりも大きく、
前記第2のアンダーフィル樹脂の熱膨張係数が前記第1のアンダーフィル樹脂の熱膨張係数よりも大きく、
当該半導体装置は、
前記半導体チップ及び前記アンダーフィル樹脂を封止する片面封止型の封止樹脂を有し、
前記封止樹脂は、熱硬化性であり、且つ、その熱膨張係数が前記基板の熱膨張係数よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
FI (3件)：
Fターム (15件)：
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA04
, 4M109DB15
, 4M109EB12
, 4M109EB15
, 4M109EC04
, 4M109EC20
, 4M109EE02
, 4M109EE15
, 5F044KK01
, 5F044LL11
, 5F044QQ01
, 5F044RR18
, 5F044RR19
引用特許：
出願人引用 (4件)
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半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願2007-212651 出願人：セイコーエプソン株式会社 -
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平11-131005 出願人：日本電気株式会社 -
半導体装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願2007-121131 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
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