特許
J-GLOBAL ID：201303018667479830
スリップリング及びスリップリングの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
羽鳥 亘
, 中村 希望
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-005169
公開番号（公開出願番号）：特開2013-138010
出願日： 2013年01月16日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
要約：
【課題】環状電極パターンを高密度化した小型で且つ多極なスリップリングを提供する。また、そのスリップリングの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るスリップリング80は、スルーホール38を環状電極パターン32にかかるように形成することでランドパターンを不要としている。これにより、環状電極パターン32の高密度化が可能となり、スリップリング80を小型化、多極化することができる。また、本発明に係るスリップリング80は、スルーホール38の導電層を分断することで1つのスルーホール38が両側の表面電極パターンの導通に寄与する。これにより、環状電極パターン32のさらなる高密度化が可能となり、スリップリング80をさらに小型化、多極化することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
回転機構の回転軸が嵌入する軸孔を備えたロータと、
前記ロータを回転可能に収容するとともに前記軸孔が露出するロータ孔を備えたケースと、
前記ロータ側の面に前記軸孔と略同心円状で径の異なる複数の環状電極パターンを有し、他方の面に前記環状電極パターンと一対一対応する引出し電極パターンを有する基板部と、
前記基板部に穿孔され前記環状電極パターンと前記引出し電極パターンとを内壁に形成された導電層を介して導通させるスルーホールと、
前記ロータに設置され前記環状電極パターンと接触導通する摺動子と、を備えたスリップリングにおいて、
前記環状電極パターンは、前記スルーホールを挟み且つ前記スルーホールにかかるように形成され、
前記導電層は両側の環状電極パターンの間で分断されて、両側に位置する環状電極パターンを対応する引出し電極パターンにそれぞれ導通することを特徴とするスリップリング。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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