特許
J-GLOBAL ID：201303018716419864

半導体装置およびその製造方法

発明者：
宮腰 宣樹

宮腰 宣樹 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  松沼 泰史 ,  増井 裕士 ,  小室 敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-108382
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179346
出願日： 2013年05月22日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：
【課題】高耐圧であり、MOSFETの微細化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】本発明は、複数の同一構造のユニットを備え、各ユニットは、ドレイン電極と、ドレイン電極上の低濃度層と低濃度層上の基準濃度層を有し、低濃度層中の第1導電型不純物の濃度が基準濃度層中の第1導電型不純物の第1濃度より低いドリフト層と、基準濃度層上のゲート電極と、基準濃度層の表面上かつゲート電極の両端近傍にあり第1濃度より高濃度の第1導電型不純物を含むソース領域と、ソース領域外面を囲み、第2導電型不純物を第2濃度で含むベース領域と、ソース領域及びベース領域と接続するソース電極と、基準濃度層内のベース領域下の第2濃度より低濃度で第2導電型不純物を含む空乏層伸長領域とを備え、空乏層伸長領域と低濃度層との第1境界の位置が基準濃度層と低濃度層との第2境界の位置より低く、空乏層伸長領域がベース領域下面の平坦部全面に接して形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
同一構造を有する複数のユニットを備える半導体装置であって、各ユニットは、 ドレイン電極と、 前記ドレイン電極上にある低濃度層と該低濃度層上にある基準濃度層とからなり、該低濃度層中に含まれる第1導電型不純物の濃度が該基準濃度層中に含まれる第1導電型不純物の第1濃度よりも低いドリフト層と、 前記基準濃度層上にあるゲート電極と、 前記基準濃度層の表面上でかつ前記ゲート電極の両端近傍にあって前記第1濃度よりも高い濃度の第1導電型不純物を含む一対のソース領域と、 前記ソース領域の外面を囲み、第2導電型不純物を第2濃度で含む一対のベース領域と、 前記ソース領域及び前記ベース領域と電気的に接続されたソース電極と、 前記基準濃度層内の前記ベース領域の下にあって前記第2濃度よりも低い濃度で第2導電型不純物を含む一対の空乏層伸長領域と、 を備え、 前記空乏層伸長領域と前記低濃度層との第1境界の位置が前記基準濃度層と前記低濃度層との第2境界の位置よりも低く、前記空乏層伸長領域が前記ベース領域の下面における平坦部全面に接して形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/06
FI (5件)：
H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/06 301D ,  H01L29/06 301V
引用特許：
出願人引用 (9件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-095754   出願人：新電元工業株式会社
  • 電力用半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-369713   出願人：株式会社東芝
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-014048   出願人：日本電気株式会社
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審査官引用 (9件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-095754   出願人：新電元工業株式会社
  • 電力用半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-369713   出願人：株式会社東芝
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-014048   出願人：日本電気株式会社
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