特許
J-GLOBAL ID：201303019644144543
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-261395
公開番号（公開出願番号）：特開2013-112575
出願日： 2011年11月30日
公開日（公表日）： 2013年06月10日
要約：
【課題】歩留まりを向上することができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置100の製造方法は以下の工程を有する。第1の主表面1との第2の主表面2とを有する炭化珪素基板80が準備される。第1の主表面1に電極が形成される。炭化珪素基板80は六方晶の結晶構造を有し、第1の主表面1の{0001}面に対するオフ角が±8°以内であり、第1の主表面1は、炭化珪素のバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が照射された場合に、第1の主表面1に生ずる750nm以上の波長域における発光領域3の密度が1×104cm-2以下であるような特性を有する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
第1の主表面と前記第1の主表面と反対側の第2の主表面とを有する炭化珪素基板を準備する工程と、
前記第1の主表面に電極を形成する工程とを備え、
前記炭化珪素基板は六方晶の結晶構造を有し、
前記第1の主表面の{0001}面に対するオフ角が±8°以内であり、
前記第1の主表面は、炭化珪素のバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が照射された場合に、前記第1の主表面に生ずる750nm以上の波長域における発光領域の密度が1×104cm-2以下であるような特性を有する、炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/36
, H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/66
C30B29/36 A
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 658L
, H01L29/78 658A
, H01L21/66 N
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077AB08
, 4G077AB10
, 4G077FJ06
, 4G077GA06
, 4G077GA10
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4M106AA10
, 4M106BA04
, 4M106CA18
, 4M106CB19
