特許

J-GLOBAL ID：201103010754337060

炭化珪素単結晶ウェハの製造方法及びこの方法で得られた炭化珪素単結晶ウェハ

発明者： 矢代 弘克 ,  星野 泰三 ,  藤本 辰雄 ,  平野 芳生 ,  中林 正史 ,  柘植 弘志 ,  勝野 正和 ,  藍郷 崇 ,  佐藤 信也 ,  大橋 渡
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (4件)： 佐々木 一也 ,  成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  鳥野 正司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-090372
公開番号（公開出願番号）：特開2011-222750
出願日： 2010年04月09日
公開日（公表日）： 2011年11月04日
要約：

【課題】炭化珪素単結晶インゴットから切り出された直後のウェハに存在するそり・うねりをウェハの両面研磨の際に効果的に除去し、フリースタンディング状態でもそり・うねりの無い研磨後のウェハを調製し、これによって欠陥密度の少ない良好な品質のウェハを製造することができる炭化珪素単結晶ウェハの製造方法を提供する。また、平均積層欠陥密度が30cm-1以下である良品質の炭化珪素単結晶ウェハを提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶インゴットから切り出されたウェハ3を両面研磨装置のキャリア2内に保持させてウェハ表面を両面研磨し、次いで両面研磨後のウェハの表面に生成した加工変質層を除去して炭化珪素単結晶ウェハを製造するに際し、ウェハ厚さよりも厚さの大きいキャリアを用いてウェハの両面研磨を行う、炭化珪素単結晶ウェハの製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素単結晶インゴットから切り出されたウェハ表面を両面研磨して炭化珪素単結晶ウェハを製造する炭化珪素単結晶ウェハの製造方法であって、前記の切り出されたウェハの厚さよりも大きい厚さを有するウェハキャリアを用いてウェハの両面を研磨することを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 ,  C30B 29/36 ,  C30B 33/00 ,  B24B 37/04

FI (6件)：

H01L21/304 621A ,  C30B29/36 A ,  C30B33/00 ,  H01L21/304 622W ,  B24B37/04 C ,  B24B37/04 F

Fターム (34件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AA12 ,  3C058AA18 ,  3C058AB04 ,  3C058AC04 ,  3C058BA05 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA06 ,  3C058DA18 ,  4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077FG11 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F057AA02 ,  5F057AA06 ,  5F057BA12 ,  5F057BB09 ,  5F057CA02 ,  5F057CA09 ,  5F057CA19 ,  5F057DA03 ,  5F057DA05 ,  5F057DA11 ,  5F057DA15 ,  5F057EB21 ,  5F057GB14 ,  5F057GB18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコンウエハのラッピング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-161652   出願人：エム・イー・エム・シー株式会社
• 半導体基板の両面研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-209659   出願人：新日本製鐵株式会社
• 化合物半導体基板の製造方法および化合物半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-019411   出願人：住友電気工業株式会社
• 低抵抗率炭化珪素単結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-136476   出願人：新日本製鐵株式会社