特許

J-GLOBAL ID：201303020406468444

アモルファスシリコンの製造方法及びアモルファスシリコンの製造装置

発明者： 下田 達也 ,  申 仲▲榮▼ ,  増田 貴史
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 河野 広明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-049652
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187260
出願日： 2012年03月06日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：

【課題】液体シリコン材料からのアモルファスシリコンの製造プロセスの簡素化及び/又はその製造時間の短縮化を実現する。【解決手段】本発明の1つアモルファスシリコンの製造方法は、液体シリコン材料20bからアモルファスシリコン20cを製造する方法である。具体的には、このアモルファスシリコンの製造方法は、酸素濃度が10ppm以下の雰囲気中で、基体10の表面上又はその上方に点状、島状、又は層状の液体シリコン材料20bを形成する液体シリコン材料形成工程と、液体シリコン材料20b及びアモルファスシリコン20cが吸収する波長の光を、前述の雰囲気中の常圧下で液体シリコン材料20bに対して照射することのみによって、基体10の温度を200°C以上300°C未満である第1温度にまで上昇させる光照射工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

液体シリコン材料からアモルファスシリコンを製造する方法であって、 酸素濃度が10ppm以下の雰囲気中で、基体の表面上又はその上方に点状、島状、又は層状の前記液体シリコン材料を形成する液体シリコン材料形成工程と、 前記液体シリコン材料及び前記アモルファスシリコンが吸収する波長の光を、前記雰囲気中の常圧下で前記液体シリコン材料に対して照射することのみによって、前記基体の温度を200°C以上300°C未満である第1温度にまで上昇させる光照射工程と、を含む、 アモルファスシリコンの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/208

FI (1件)：

H01L21/208 Z

Fターム (10件)：

5F053AA06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB58 ,  5F053BB60 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG03 ,  5F053HH02 ,  5F053HH05 ,  5F053LL10