特許
J-GLOBAL ID:201303021532504266
半導体記憶装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-277937
公開番号(公開出願番号):特開2013-149970
出願日: 2012年12月20日
公開日(公表日): 2013年08月01日
要約:
【課題】高速動作及び低消費電力化した半導体記憶装置を提供する。さらに、単位面積あたりの記憶容量を増加させ、キャパシタの容量を増加させた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】ワード線WL、ビット線BL、第1のキャパシタCb、第2のキャパシタCf及びトランジスタTrを有するサブメモリセルSCLを、二以上有するメモリセルCLを有し、メモリセルCLにおいて、サブメモリセルSCLが積層して形成され、トランジスタは、半導体膜を介して第1のゲート及び第2のゲートが設けられ、第1のゲート及び第2のゲートはワード線WLと接続され、トランジスタのソース及びドレインの一方はビット線BLと接続され、トランジスタのソース及びドレインの他方は第1のキャパシタCb及び第2のキャパシタCfと接続され、サブメモリセルSCLそれぞれにおけるトランジスタの第1のゲート及び第2のゲートが重畳し、かつ接続する半導体記憶装置である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ワード線、ビット線、第1のキャパシタ、第2のキャパシタ及びトランジスタを有するサブメモリセルを、二以上有するメモリセルを有し、
前記メモリセルにおいて、前記サブメモリセルが積層して形成され、
前記トランジスタは、半導体膜を介して第1のゲート及び第2のゲートが形成され、
前記第1のゲート及び前記第2のゲートは前記ワード線と接続され、
前記トランジスタのソース及びドレインの一方は前記ビット線と接続され、
前記トランジスタの前記ソース及びドレインの他方は前記第1のキャパシタ及び前記第2のキャパシタと接続され、
前記トランジスタの前記第1のゲート及び前記第2のゲートが重畳し、かつ接続されていることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (7件):
H01L 27/105
, H01L 29/786
, H01L 27/10
, H01L 21/823
, H01L 27/088
, H01L 27/08
, H01L 27/06
FI (12件):
H01L27/10 441
, H01L29/78 613B
, H01L29/78 618B
, H01L27/10 495
, H01L27/10 481
, H01L27/10 461
, H01L27/08 102D
, H01L27/08 102E
, H01L27/08 102H
, H01L27/08 331E
, H01L27/06 102A
, H01L27/10 311
Fターム (137件):
5F048AB01
, 5F048AC01
, 5F048AC10
, 5F048BA01
, 5F048BA14
, 5F048BA16
, 5F048BB02
, 5F048BB09
, 5F048BB11
, 5F048BB12
, 5F048BB14
, 5F048BC03
, 5F048BF16
, 5F048BG12
, 5F048BG13
, 5F048CB02
, 5F048CB03
, 5F083AD02
, 5F083AD49
, 5F083AD53
, 5F083AD69
, 5F083GA01
, 5F083GA06
, 5F083GA10
, 5F083GA25
, 5F083GA27
, 5F083HA02
, 5F083HA06
, 5F083HA10
, 5F083JA02
, 5F083JA03
, 5F083JA05
, 5F083JA12
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA44
, 5F083JA56
, 5F083JA60
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA00
, 5F083LA11
, 5F083NA01
, 5F083PR03
, 5F083PR33
, 5F083PR34
, 5F083PR40
, 5F083ZA04
, 5F083ZA13
, 5F083ZA14
, 5F110AA01
, 5F110AA04
, 5F110AA05
, 5F110AA09
, 5F110BB03
, 5F110BB06
, 5F110BB11
, 5F110CC01
, 5F110CC02
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD04
, 5F110DD05
, 5F110DD07
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE05
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE09
, 5F110EE11
, 5F110EE14
, 5F110EE30
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG06
, 5F110GG12
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG16
, 5F110GG17
, 5F110GG23
, 5F110GG32
, 5F110GG34
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110GG51
, 5F110GG52
, 5F110GG55
, 5F110GG57
, 5F110GG58
, 5F110HJ01
, 5F110HJ12
, 5F110HJ13
, 5F110HJ23
, 5F110HL01
, 5F110HL02
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL07
, 5F110HL11
, 5F110HL12
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN28
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN36
, 5F110NN72
, 5F110NN74
, 5F110QQ19
引用特許:
出願人引用 (6件)
-
特開昭63-102264
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-031688
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
強誘電体容量及びこれを備えた回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-134993
出願人:日本電気株式会社
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審査官引用 (7件)
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特開昭63-102264
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-031688
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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強誘電体容量及びこれを備えた回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-134993
出願人:日本電気株式会社
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