半導体装置、及び半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-277272
公開番号（公開出願番号）：特開2011-146694
出願日： 2010年12月13日
公開日（公表日）： 2011年07月28日
要約：

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供することを課題の一とする。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高機能の半導体装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタにおいて、酸化物半導体層に酸素欠陥誘起因子を導入(添加)することによってソース領域及びドレイン領域を選択的に低抵抗化する。酸化物半導体層に酸素欠陥誘起因子を導入することによって、酸化物半導体層にドナーとして機能する酸素欠陥を効果的に形成することができる。導入する酸素欠陥誘起因子としては、チタン、タングステン、及びモリブデンのいずれか一または複数から選択される金属元素を用いてイオン注入法によって導入することが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に、チャネル形成領域、酸素欠陥誘起因子を含むソース領域及びドレイン領域が設けられた酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に前記チャネル形成領域と重なるゲート電極層と、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、及び前記ゲート電極層を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に前記ソース領域に電気的に接続するソース電極層及び前記ドレイン領域に電気的に接続するドレイン電極層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/78 616L

Fターム (69件)：

5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ22 , 5F110HK01 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (6件)

電界効果型トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-261878 出願人：キヤノン株式会社
トランジスタとこれを含む半導体素子及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-119199 出願人：三星電子株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-121384 出願人：キヤノン株式会社

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