特許

J-GLOBAL ID：201303021662631537

被膜形成方法

発明者： 野田 周一 ,  島 久 ,  秋永 広幸
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-248759
公開番号（公開出願番号）：特開2013-104102
出願日： 2011年11月14日
公開日（公表日）： 2013年05月30日
要約：

【課題】ターゲットであるCu2Oから、単一結晶相からなる有用なCu2O被膜(堆積膜)又はCuO被膜を選択的に形成できると共に、そのCu2O被膜の形成に際して、そのCu2O被膜の膜質制御を簡単に行うことができる被膜形成方法を提供する。【解決手段】ターゲットとして、Cu2Oを用い、Arをプラズマ化するための投入電力とArを含む全ガス圧力とを、前記Cu2Oからのスパッタ粒子をO2流量比が高まるに伴ってCu2O,Cu4O3,CuOに順次、変化し得るように設定し、その上で、前記投入電力及び前記全圧力の下で、O2流量比を調整する。これにより、的確に、単一結晶相からなる有用なCu2O被膜又はCuO被膜のいずれかを選択的に形成できるようにする。また、Cu2O被膜の形成に際しては、O2流量比調整により広い範囲で抵抗率(キャリア密度)を調整して、Cu2O被膜の膜質特性の変更を簡単に行えるようにする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

希ガスをプラズマ化させてそのイオンをターゲットに衝突させることにより、該ターゲットからのスパッタ粒子を基材表面に堆積させて、該基材表面に薄膜を被着させる被膜形成方法において、 前記ターゲットとして、Cu2Oを用い、 前記希ガスをプラズマ化するための投入電力と前記希ガスを含む全ガス圧力とを、前記Cu2Oからのスパッタ粒子を酸素含有雰囲気が高まるに伴ってCu2O,Cu4O3,CuOに順次、変化し得るように設定し、 その上で、前記投入電力及び前記全ガス圧力の下で、前記酸素含有雰囲気を調整する、 ことを特徴とする被膜形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C23C14/34 N ,  C23C14/34 M ,  H01L31/04 E

Fターム (16件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA03 ,  4K029EA09 ,  5F151AA09 ,  5F151CB15 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-083308   出願人：株式会社ブリヂストン

審査官引用 (1件)

• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-083308   出願人：株式会社ブリヂストン